实验设备

原子层沉积TAUR ALD L-100 Standard

TAUR ALD L系列设备系统是一款独立可控制的薄膜生长设备,全自动工艺控制并包含完整的安全联锁功能,能够沉积半导体应用中的氧化物(AI O ,ZRO ,LAO ,HFO ),支持石墨烯和新型二维材料的光电和电子器件、太阳能、MEMS等众多领域的应用。
系统包含一个13”的铝质反应腔体,具有加热保温腔壁。可以支持最多5路加热或冷却的50CC/100CC容器用于前驱体或者反应物,并集成了快速脉冲传输阀(swagelok专用阀)用于气体脉冲输出。没有反应掉的前驱体将被加热过滤器(热阱)所捕捉,该过滤器安装在墙体排风口。
工艺程序、工艺参数、温度设定、气体流量、抽真空卸真空工序,以及传输管路的吹扫均通过软件实现全自动控制。

技术特性:
  • ALD沉积均匀性<1%
  • 优化的13“阳极氧化铝腔体
  • 小反应腔体容积确保快速的循环时间并提高质量
  • 最大可支持8”的基片
  • 500°C基片加热器
  • 最多支持5路50cc/100cc前驱体容器
  • 快速脉冲脉冲气体传输阀
  • 大面积过滤器用于捕捉并处理未翻译的前驱体
  • 高深宽比结构的保形生长
  • 菜单驱动友好用户界面
 
衬底尺寸和类型:
  • 50–200 mm /单片
  • 156 mm x 156 mm 太阳能硅片
  • 3D 复杂表面衬底粉末与颗粒(配备扩散增强器)
  • 多孔,通孔,高深宽比(HAR,1:2500)样品
 
 工艺温度:
50°C– 500°C, 可选更高温度;真空腔体外壁不用任何冷却方式即可保持温度低于60°C)
典型工艺:
Al2O3, TiO2, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, ZrO2, AlN, TiN,金属 Pt 或 Ir 等
基片传送选件
  • 气动升降(手动装载)
  • 预真空室安装磁力操作机械手(Load lock )
 
前驱体:
  • 液态、固态、气态、臭氧源
  • 5根独立源管线,最多加载6个前驱体源
  • 对蒸汽压低的前驱体(1mbar~10mbar),用氮气等载气导入前驱体瓶内引出
 选件:
 扩散增强器,集成椭偏仪,QCM,RGA,N2发生器,尾气处理器,定制设计,手套箱集成(用于惰性气体下装载)


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